关键词:
CdS
g-C3N4
Zn0.8Cd0.2S
MOFs
非贵金属磷化物
光催化
摘要:
本文通过引入非贵金属磷化物作助催化剂来减缓半导体催化剂电子-空穴的复合的效率,增加半导体材料光催化产氢的活性位点,提高捕获H的能力和加快空穴氧化牺牲试剂的速率。磷化物作助催化剂不仅提高了光催化产氢活性,而且还从微观电子角度研究半导体内部电子转移的过程。主要的工作如下所示:1.以CdS半导体材料为基材,双金属磷化物WNiP作助催化剂,通过水热法和煅烧法成功合成新型复合材料WNiPCdS,用来提高CdS的光催化产氢活性。在10%乳酸(体积分数)为牺牲试剂的的条件下,构建一个高效稳定的光催化产氢体系。通过进一步测试数据我们发现复合材料WNiPCdS在以WNiP前驱体为0.7 mmol的当量时,其4 h产氢效率高达878μmol,这比纯CdS和纯WNiP光催化剂产氢量高出约11.2倍和109.7倍。这明显的证明了引入非金属磷化WNiP可以显著增强光催化产氢性能。此外,我们还通过XRD,SEM,XPS,紫外-可见漫反射,电化学响应,稳态荧光等一系列表征证明我们的测试结果,并且解释了WNiPCdS复合材料的机理。2.通过水热法和研磨合成了具有均匀三维(3D)立方结构分布的协同复合材料g-CN/CuP/UiO-66。较大的球形颗粒(UiO-66)均匀分布在g-CN片状纳米材料上,CNCU-3的比表面积达到1002.08(m/g),是基础材料g-CN的23倍。结果,加入CuP和MOFs可以有效地改善电荷转移和分离,并提高光催化剂的制氢活性。g-CN/CuP/UiO-66三元复合材料的光催化活性明显优于单体g-CN,二元g-CN/CuP和g-CN/UiO-66,特别是引入UiO-66氢气产量增加,五个小时内最大氢气产量达到79μmol。此外,XRD,SEM,TEM,PL,UV-vis,XPS证明,CuP有效地传导电子以促进电子转移,UiO-66提供大的比表面积。这些因素的协同作用在光催化活性中起关键作用。3.在双金属硫化物ZnCdS上引入CoP,构建CoP/ZnCdS协同体系。通过水热法和煅烧法分别合成ZnCdS和CoP单体,然后进行严格而又复杂的研磨,最终成功合成新型复合光催化剂材料CoP/ZnCdS。合成的新催化剂在10%乳酸为反应条件下,进行产氢测试发现以CoP的前驱体为0.5 mmol当量时,复合催化剂的产氢活性达到最大4 h 349μmol,比纯ZnCdS提高了2倍之多。XRD,SEM和XPS的表征结果表明,CoP/成功负载到CoP/ZnCdS上且两者的复合后的形貌,晶形结构和复合化合价态都我们之前进行的研究调查吻合。荧光稳态光谱和电化学测试显示出复合材料CoP/ZnCdS成功降低电子-空穴复合率,加快电子转移的速率,综合表明新型催化剂显示出优秀的光催化产氢活性。同时,基于CoP/ZnCdS.协同体系提出电荷转移机制和产氢机理。