关键词:
石墨相氮化碳
二维材料
光催化
异质结
净化甲醛
摘要:
石墨相氮化碳(g-CN)作为一种典型的由非金属纳米层堆叠而成的半导体,中等禁带宽度的电子结构(2.7eV)使其能被可见光激发。激发产生的电荷在层内迁移迅速,但层间转移阻力大,导致半导体边缘位点相比于层内部拥有更高反应活性,具有相当可观的活性位点和氧化还原效果。此外,因g-CN具有热稳定性和化学稳定性优良、无毒且廉价易制等特点,被认为是具有相当潜力的二维光催化材料。考虑到异质结界面对于光催化性能的优异性,本文采用水热法达到了获得效果良好的MoS/g-CN二元纳米异质结的目的,提升了 g-CN对于水相有机污染物及气相甲醛的光催化降解效果。选择将合适的MoS材料用于光催化领域,并且通过独特的剥离方式得到少层MoS纳米薄片。再利用元素掺杂、熔盐调节与形貌控制实现了对典型g-CN结构和性能的优化。最终以两种改善的材料为基础,顺利构建了2D-2D模式的异质结复合半导体材料。所获得的目标异质结相较于目前同类产品表现出良好的光催化性能,这依赖于每一步方案的改进与配合。并且通过对实验中每一步变量的控制和降解罗丹明B及甲醛效果的测试及分析,得到最佳制备工艺。主要结论如下:(1)采用简单的液相超声剥离的方法制备MoS薄纳米层,选择小分子插层剂油酸和大分子表面活性剂PVP辅助剥离,讨论了剥离时间、表面活性剂添加量和溶剂对纳米层质量和浓度的影响。在剥离时间为10 h,MoS、油酸与PVP添加比例为1:1:1,溶剂为DMF条件下制得的MoS纳米层质量得到较大改善。通过观察纳米片表面形貌,发现纳米片在溶剂中均匀分布,呈现薄层纱状,横向尺寸多在100-300nm,存在少量尺寸在500nm左右的纳米片。纳米片层厚度在3-7nm范围内,说明多为2-6层的少层MoS纳米片。Raman和XRD也表明MoS被有效剥离,是由少层形成的材料。UV-Vis测试显示出了MoS纳米片层的特征峰,且随着时间的增长特征峰强度逐渐增高,表示纳米分散液浓度变高。分散稳定性证明样品30天后基本无变化,具有良好的稳定性。(2)将TAA与三聚氰胺混合采用简单的热缩聚工艺制备了S掺杂的g-CN,并选择LiCl/KCl、NaCl/KCl作为熔盐调节聚合反应进程,讨论了硫源掺杂量和熔盐体对g-CN的影响。在TAA掺杂量为30%,熔盐体为NaCl/KCl条件下制得的S掺杂的g-CN表现出良好的光催化性能。样品表面形貌显示,当S掺杂量为30%时比表面积较大,NaCl/KCl盐熔体系下则产生了约4-8μm的大尺寸结晶。结构分析表明,S成功替代了g-CN晶格中的N,层间距离增大,且NaCl/KCl盐熔体的结晶程度较好,分子结构更规整。所有样品在光学性能中都表现出明显改善的电荷载流子非辐射复合速率,带隙最大降低至~1.75eV,NaCl/KCl盐熔体样品带隙为1.90eV。相比于30%硫掺杂样品,NaCl/KCl盐熔体样品光催化降解效率及反应速率常数明显提升,经过2h的反应,其降解RhB的效率提高到了98.3%,同时2h后对甲醛气体获得42.1%的降解效果。这得益于S元素在庚嗪环中提供的不饱和位点及产生的中带隙电子态,同时聚合度和结晶度的提升,改善了光生载流子的复合,使得光催化活性大幅提升。(3)将已制备的MoS纳米分散液与NaCl/KCl熔盐合成的S掺杂g-CN通过水热反应结合界面获得了 MoS/g-CN复合纳米光催化异质结,讨论了温度、助催化剂MoS的添加量和纳米片中残存的表面活性剂对异质结的影响。在温度为140℃,MoS纳米层添加量为1%条件下制得的MoS/g-CN异质结表现出改善的光催化活性。通过对材料结构的表征,证明MoS与g-CN-4片层间面面结合相当紧密,XRD中属于MoS-2的小峰出现证实两种半导体成功复合。光学性能显示异质界面的存在有效抑制了电荷载流子的复合,且光吸收能力略微增强,最佳样品带隙为1.88eV。样品的光催化降解效率及反应速率常数相比于单一半导体明显提升,最佳样品1 h时降解RhB浓度82.9%,且2h对甲醛气体获得77.6%的降解效果。另外,探究发现表面活性剂残存并没有明显影响异质结的光催化性能,甚至在一定程度上改善了光催化反应进行。上述提升的光催化效率归因于异质界面的存在,电子可以通过化学键连接的界面快速转移,且改变了电子和空穴流向,高效降低了光生载流子的复合。